0 ~ 50V 0 ~ 5000A Silizio polikristalinoaren elikadura-iturria

0 ~ 50V 0 ~ 5000A Silizio polikristalinoaren elikadura-hornidura

Produktuaren Deskribapena:

Zehaztapenak:

Sarrera parametroak: 3 fase, AC480V±10%, 60HZ

Irteerako parametroak: DC 0~50V 0~5000A

Irteera modua: DC irteera arrunta

Hozte metodoa: airea hoztea/ ura hoztea

Elikatze-iturri mota: IGBTn oinarrituta

Aplikazio-industria: Silizio polikristalinoa murrizteko labearen presioa eta murrizketa, kristalen hazkundea

Produktuaren tamaina: 87 * 82,5 * 196 cm

Pisu garbia: 460 kg

Bidali iezaguzu mezu elektronikoa

Zehaztapena
Txorrota Mota	Bainugelako konketa txorrotak,
Instalazio mota	Zentroa,
Instalazio-zuloak	Zulo bat,
Helduleku kopurua	Helduleku bakarra,
Amaitu	Ti-PVD,
Estiloa	Herrialdea,
Jario tasa	1,5 GPM (5,7 L/min) gehienez,
Balbula Mota	Zeramikazko balbula,
Hotza eta beroa aldatzea	Bai,
Neurriak
Altuera orokorra	240 mm ( 9,5 " ),
Botoaren altuera	155 mm ( 6,1 " ),
Botoaren luzera	160 mm ( 6,3 " ),
Txorrota zentroa	Zulo bakarra,
Materiala
Txorrota Gorputzaren Materiala	Letoia,
Txorrota-kanporaren materiala	Letoia,
Txorrota heldulekuaren materiala	Letoia,
Osagarriak Informazioa
Balbula barne	Bai,
Hustubidea barne	Ez,
Pisuak
Pisu garbia (kg)	0,99,
Bidalketa-pisua (kg)	1.17,

ezaugarria

Sarrera-parametroak

AC sarrera 480v±10% 3 fasea
Irteerako parametroak

DC 0~50V 0~5000A etengabe erregulagarria
Irteera Potentzia

250KW
Hozteko metodoa

aire-hozte behartua / hozte por agua
PLC analogikoa

0-10V/ 4-20mA/ 0-5V
Interfazea

RS485/ RS232
Kontrol modua

urruneko kontrolaren diseinua
Pantaila bistaratzea

pantaila digitala
Babes anitzak

falta fasea gain-berotzea gain-tentsioa gain-korronte zirkuitulaburra
Kontrol Bidea

PLC/ Mikrokontroladorea

Eredua eta Datuak

Modelo zenbakia	Irteerako uhina	Uneko pantailaren zehaztasuna	Volt pantailaren zehaztasuna	CC/CV Zehaztasuna	Igoera eta jaitsiera	Gehiegizko jaurtiketa
GKD50-5000CVC	VPP≤0,5%	≤10mA	≤10mV	≤10mA/10mV	0~99S	No

Produktuen Aplikazioak

Polisilizioa silizio elementalaren forma bat da.Silizio elemental urtua superhoztearen egoeran solidotzen denean, silizio atomoak kristal nukleo askotan antolatzen dira diamante-sare baten moduan.Kristal-nukleo hauek kristal-planoko orientazio desberdina duten aleak bihurtzen badira, orduan ale hauek konbinatzen dira silizio polikristalinoan kristalizatzeko.